收藏本站
Si1033X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted)
0.3
0.2
0.1
I D = 0.25 mA
3.0
2.5
2.0
- 0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 2.8 V
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T J - Tempserature (°C)
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
T J - Temperature (°C)
I GSS vs. Temperature
- 50
- 25
0
25 50 75
100
125
T J - Temperature (°C)
BV GSS vs. Temperature
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
t 2
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 500 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71428 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71428
S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI1037X-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A
SI1046R-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3
SI1046X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
SI1050X-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6
SI1051X-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
SI1056X-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-89-6
SI1058X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC89
SI1065X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
相关代理商/技术参数
Si1034-A-GM 功能描述:射频微控制器 - MCU 128KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1034-A-GMR 功能描述:射频微控制器 - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
SI1034CX 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Si1034CX-T1-GE3 制造商:Vishay 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
SI1034X 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1034X_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1034X_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1034X-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube